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半导体物理学-课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k  k1

半导体物理学第四章答案

第四章习题及答案1. 300K时，Ge的本征电阻率为47cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解：在本征情况下，,由

半导体物理学第七版 完整课后题答案

第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)与价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度; 导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到

半导体物理学复习题

半导体物理学复习题一：基本概念1.离子晶体，共价晶体离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成。共价晶体：由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。补充：晶体的分类（按原子结合力的性质分）离子晶体

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一)　　一、 选择题　　1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一)　　一、 选择题　　1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学刘恩科第七版习题答案比较完全资料

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学(刘恩科)第七版 完整课后题答案

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半导体物理学第四章答案

半导体物理学第四章答案 第四章习题及答案 1. 300K时，Ge的本征电阻率为47?cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm/( V.S)。 试求Ge

半导体物理学 习题答案

半导体物理学期末复习试题及答案一

一、 选择题1. 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（  B  ）。A. 比绝缘体的大  B. 比绝缘体的小  C. 和绝缘体的相同 2. 受主杂质电离后向半导体提供（  B