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半导体物理学第四章答案

第四章习题及答案1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下,,由

刘诺半导体物理学第一章

- UESTC——Nuo Liu - *重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 - * 重 点 之 二: Ge、Si和GaAs的能带结构

半导体物理学第二章

- - 半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体异质结

半导体物理学博士研究生入学考试大纲

《半导体物理学》博士研究生入学考试大纲一、将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中,以深入认识半导体中的电子状态;明确回旋共振实验的目的、意义和原理,从而认识主要半导体资料的能带结构。包含晶体

半导体物理学名词解释

半导体物理学名词解释1、直接复合:电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。2、间接复合:指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。3、俄歇复合:载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时,

半导体物理学 刘恩科 第七版

- 半导体物理学 - <#> - 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第七版),刘恩科等编著,电子工业出版社参考书:

半导体物理学名词解释

半导体物理学名词解释1、直接复合:电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。2、间接复合:指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。3、俄歇复合:载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时,

半导体物理学简答题及答案

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半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一)  一、 选择题   1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一)  一、 选择题   1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )

半导体物理学简答题及答案

复习思考题与自测题第一章1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答:原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下

半导体物理学知识重点总结

半導體物理知識點總結附重要名詞解釋半導體物理知識點要點第一章 半导体电子状态1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。1.2