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半导体物理学(刘恩科)第七版完整课后题答案)
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度; 导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到
半导体物理学期末复习试题及答案一精编
半导体物理学期末复习试题及答案一与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供(
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、 选择题 1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、 选择题 1、 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )
半导体物理学期末复习试题及答案一
一、 选择题1. 与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2. 受主杂质电离后向半导体提供( B
半导体物理学期末复习试题及答案一
选择题与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质
半导体物理学简答题及答案
半导体物理学简答题及答案 复习思考题与自测题 第一章 1. 原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答:
半导体物理学期末复习试题及答案三资料
一、选择题。电离后向半导体提供空穴的杂质是( A ),电离后向半导体提供电子的杂质是( B )。A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质在室温下,半导体Si中掺入浓度为
半导体物理学期末复习试题及答案三
一、选择题。电离后向半导体提供空穴的杂质是( A ),电离后向半导体提供电子的杂质是( B )。A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质在室温下,半导体Si中掺入浓度为
半导体物理学-课后题答案
第一章习题1.设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为:h 2 k 2Ec=3m0h 2 k 2 1 3h 2 k 2h 2 ( k k1
半导体物理学第四章答案
第四章习题及答案1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下,,由
半导体物理学期末复习试题及答案三精编
半导体物理学期末复习试题及答案三电离后向半导体提供空穴的杂质是( A ),电离后向半导体提供电子的杂质是( B )。A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质在室温下,半