半导体物理第五章

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3.1 在硅中，导带极小值附近的电子能量可以写成:E(k) = E C +22 2 k x + k y k z2+( )2m1 m 2式中m2>m1(1)分别画出能量E随着kx和kz变化的示意图;(

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半导体物理学习题解答

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电