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四探针法测电阻率实验原理

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四探针法测电阻率实验原理

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实验一:四探针法测半导体电阻率

实验一:四探针法测量半导体电阻率1、实验目的熟悉四探针法测量半导体或金届材料电阻率的原理掌握四探针法测量半导体或金届材料电阻率的方法2、实验仪器XXXX型数字式四探针测试仪;XXXX®便携式四探针测试

实验一:四探针法测半导体电阻率

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四探针法测电阻率

实验 四探针法测电阻率1.实验目的:学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2.实验内容硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变条件(光照与否),对

四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻

四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻【实验目的】1、掌握四探针测量半导体材料电阻率和薄层电阻的测量原理及方法;2、针对不同几何形状的样品,掌握其修正方法;3、测试给定的三块不同规格样品数据,使用EXCE

四探针法测量电阻率和薄层电阻

四探针法测量电阻率和薄层电阻一、引言电阻率是半导体材料的重要参数之一。电阻率的测量方法很多,如三探针法、霍尔效应法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法,其主要优点在于设备简单、操作方便、

四探针法测电阻率 四探针方法

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实验2四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻

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四探针法测方块电阻的原理

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四探针法测半导体方块电阻实验报告

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