半导体物理第五章教材

- * - 第五章 非平衡载流子 - 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平

各校半导体物理真题

2006年华南理工大学半导体物理试题一、解释下列概念：（20分） 1、霍尔效应：2、共有化运动  3、杂质补偿  4、肖特基势垒5、  非平衡载流子寿命二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）三、

半导体物理课件8

- 补充 晶体管的直流特性 - - 一、 概述二、 平面晶体管的电流放大系数及影 响电流放大系数的因素三、 晶体管的反向电流

刘诺-半导体物理-第三章

- 半导体 物理 - 教案：刘诺独立制作: 刘 诺电子科技大学 微电子与固体电子学院 - Semiconductor Physics

半导体物理习题一

半导体物理习题姓名 学号 习题请直接做在此页面上，完成后发往：luming.sjtu42@gmail.com习题一2011年9月21日1

半导体物理答案

选择与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量(比半导体的大);室温下,半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3,同时掺有浓度为1、1×1015cm-3的磷,则电子浓度约为(1015cm-3

半导体物理 6

- 半导体中载流子的统计分布 - 庞智勇山东大学物理学院本幻灯片参照刘恩科等所编著教材《半导体物理学》编写 - 在一定温度下，如果没有其它外界作用

半导体物理1

- 2.1硅、锗晶体中的杂质能级 - 实际晶体与理想晶体的区别原子并非在格点上固定不动，在平衡位置附近振动并不纯净，杂质的存在缺陷点缺陷（空位，间隙原子）线缺陷（位错）面缺陷（层

半导体物理第三章

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utjAAA半导体物理

半导体物理 班级:材料物理081401 姓名:肖海明 学号:200814020121 宽禁带半导体材料技术 摘要:宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于

刘诺-半导体物理-第三章

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半导体物理答案

半导体中的电子状态习题 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。1-3、试指出空穴的主要特征。1-4、简述Ge、Si