半导体物理复习

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电子科技大学半导体物理课件

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半导体物理-0

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固体物理与半导体物理

固体物理与半导体物理符号定义：EC导带底的能量Ev价带顶的能量NC导带的有效状态密度NV价带的有效状态密度n0导带的电子浓度p0价带的空穴浓度ni本征载流子浓度Eg=EC—EV禁带宽度Ei本征费米能级

半导体物理习题

- 例一：某一维晶体的电子能带为：E(k)=E0[1-0.1cos(ka)-0.3sin(ka)]，其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：1）能带宽度；2）能带底和能带顶的有效质量。

刘诺-半导体物理-第三章

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utjAAA半导体物理

半导体物理 班级:材料物理081401 姓名:肖海明 学号:200814020121 宽禁带半导体材料技术 摘要:宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于

半导体物理

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各校半导体物理真题

2006年华南理工大学半导体物理试题一、解释下列概念：（20分） 1、霍尔效应：2、共有化运动  3、杂质补偿  4、肖特基势垒5、  非平衡载流子寿命二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）三、

半导体物理教学大纲

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半导体物理习题一

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半导体物理习题与问题概要

第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)=－v(－k)，并讲解为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：（1）同