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GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序点击次数:181 发布时间:2011-3-1 14:24:07GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996 中华人民共和国国家军用
微电子器件原理与设计1ppt课件
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微电子器件试验-双极型晶体管直流特性的测量
电子科技大学 微固 学院标 准 实 验 报 告(实验)课程名称 微电子器件 电子科技大学教务处制表电 子 科 技 大 学实 验 报 告学生姓名: 学 号:
电子行业-几种重要的微电子器件 精品
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电子行业-微电子器件测试与封装第四章 精品
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微电子器件界面结构传热与力学行为多尺度研究的开题报告
微电子器件界面结构传热与力学行为多尺度研究的开题报告一、研究背景随着微电子器件工艺的不断进步,器件的尺寸越来越小,功能越来越强大,但相应的问题也不断增加,其中之一是界面结构传热和力学行为问题。微电子器
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南京邮电大学课内实验报告课 程 名: 微 电 子 器 件 设 计 任课教师: 专 业: 微 电 子 学 学 号: 姓
微电子器件与ic设计基础第2版刘刚陈涛课后答案
课后习题答案为什么经典物理无法准确描述电子的状态?在量子力学中又是用什么方法来描述的?解:在经典物理中,粒子和波是被区分的。然而,电子和光子是微观粒子,具有波粒二象性。因此,经典物理无法准确描述电子的
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晶体管原理与设计微电子器件第59章名师优质资料
- 5.9 MOSFET 的结构及发展方向 - MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短,目前已经缩短到小于 0.1 m 。这种发展趋势可以用 摩
X年春季学期微电子器件基础-第二章
- 第二章 半导体中的杂质和缺陷 - 2.1 锗、硅半导体中的杂质及能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质及能级 2.3 宽禁带半
微电子器件的软钎焊及表面组装技术课件
- 第一节 概述 - 所谓软钎焊,是指采用熔点(或液相线温度)低于427℃的填充金属(钎料)在加热温度低于被连接金属(母材)熔化温度的条件下实现金属间冶金连接的一类方法。软钎焊