腾讯文库搜索-微电子器件封装流程
微电子器件(5- 4)
- 5.4 MOSFET 的亚阈区导电 - 本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS > VT ,并假设当 VGS = VT 时 ID = 0 。但实际上
复旦大学微电子器件第一章电子态
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几种重要的微电子器件课件
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基于微电子器件的可靠性分析
基于微电子器件的可靠性分析(潍坊科技学院)摘要:近年来人们对于电子器件的要求越来越高,集成度要求高,造成电流 密度的增加,对电子元件的耐压和公路容量的要求也在提高。集成度高,电流密 度增加,最频繁的工
《微电子器件与》PPT课件
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微电子器件授课教案
本课程的授课对象是“电子科学与技术(微电子技术方向)”专业和“集成电路设计与集成系统”专业的本科生,属于专业方向选修课。本课程的目的是使学生掌握半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管与场效应
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微电子器件授课教案
本课程的授课对象是“电子科学与技术〔微电子技术方向〕”专业和“集成电路设计与集成系统”专业的本科生,属于专业方向选修课。本课程的目的是使学生把握半导体器件根本方程、PN 结二极管、双极结型晶体管与场效
几种重要的微电子器件
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微电子器件获奖课件
- 3.8 电流放大系数与频率旳关系 - 晶体管放大高频信号时,首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 旳直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区,然后 把欲放