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教学课件:第七章几种重要的微电子器件
- 主要内容 - 薄膜晶体管TFT光电器件电荷耦合器件 - - 薄膜晶体管 - 薄膜晶体管(Thin
微电子器件授课教案
本课程的授课对象是“电子科学与技术(微电子技术方向)”专业和“集成电路设计与集成系统”专业的本科生,属于专业方向选修课。本课程的目的是使学生掌握半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管与场效应
微电子器件授课教案
本课程的授课对象是“电子科学与技术(微电子技术方向)”专业和“集成电路设计与集成系统”专业的本科生,属于专业方向选修课。本课程的目的是使学生掌握半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管与场效应
微电子器件基础第六章习题解答
- 第六章 PN结 - 1、 - 解:查附录,得到室温下,Ge本征载流子浓度 - 接触电势差, - 2
微电子器件(测验)
- 某硅突变 PN 结的 NA = 1.5×1014 cm-3,ND = 1.5×1018 cm-3,试求室温下: 1、平衡时的 pp0 、nn0 、pn0 和 np0
微电子器件期末试题
一、填空题1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为和,本征载流子浓度为,则PN结内建电势的表达式。2.对于单边突变结结,耗尽区主要分布在N区,该区浓度越低,则耗尽区宽度值越大,内建电场的最大值越小;随着
微电子器件可靠性习题
微电子器件可靠性习题第一、二章 数学根底1.微电子器件的可靠性是指产品在 规定条件下 和 规定时间 ;完成 规定功能 的能力。2.产品的可靠度为R(t)、失效概率为F(t),则二者之间
微电子器件设计
微电子器件设计作业一MOSFET考虑一个理想N沟和P沟MOSFET互补对,要将其设计为偏置相同 时的I—V曲线也相同。器件有相同的氧化层厚度t°x=25nm,相同的 沟道长度L=2|Lim,假设二氧化
微电子器件实验教学改革论文
微电子器件实验教学改革论文 摘要: 微电子器件作为电子科学与技术专业的核心课程,是学生学习理解后续专业课程的基础。为了符合学院应用型人才培养模式的需求,笔者对传统实验教学进行
微电子器件基础
- 微电子器件基础 - 第 八 章 半导体功率器件 - - - 8.1功率双极晶体管
复旦大学微电子器件第一章电子态
- 复旦大学微电子研究院包宗明Baozm@fudan.edu.cn - 半导体物理、器件和工艺导论(第一部分)半导体物理和半导体器件物理 -
微电子器件(测验)
- 微电子器件(测验) - 微电子器件概述微电子器件的基本结构与工作原理微电子器件的制造工艺微电子器件的性能参数与测试方法微电子器件的应用案例与前景展望