微电子器件测验PPT课件

- 某硅突变 PN 结的 NA = 1.5×1014 cm-3，ND = 1.5×1018 cm-3，试求室温下： 1、平衡时的 pp0 、nn0 、pn0 和 np0

微电子器件及工艺课程设计

- 晶体管的结构 - 双极晶体管结构及版图示意图 - 自对准双多晶硅双极型结构 - 课程设计要求

《微电子器件》PPT课件

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《微电子器件》PPT课件

- 3.8 电流放大系数与频率的关系 - 对高频信号进行放大时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后 把欲放

微电子器件的软钎焊及表面组装技术

- 第一节 概述 - 所谓软钎焊，是指采用熔点（或液相线温度）低于427℃的填充金属（钎料）在加热温度低于被连接金属（母材）熔化温度的条件下实现金属间冶金连接的一类方法。软钎焊

《微电子器件工艺学》PPT课件

- 微电子器件工艺学 - 序言 - 赵岳联系电话: 13817882241, 56336339Email: zhaoyue1976@sohu.com

微电子器件及工艺课程设计工艺部分

- 晶体管的结构 - 双极晶体管结构及版图示意图 - 自对准双多晶硅双极型结构 - 课程设计要求

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- 赵岳联系电话: 13817882241, 56336339Email: zhaoyue1976@sohu.com地址: 电子材料系319室或210室

微电子器件第一章电子态课件

- 复旦大学微电子研究院包宗明Baozmfudan.edu.cn - 半导体物理、器件和工艺导论（第一部分）半导体物理和半导体器件物理 -

复旦大学微电子器件第一章电子态

- 复旦大学微电子研究院包宗明Baozm@fudan.edu.cn - 半导体物理、器件和工艺导论（第一部分）半导体物理和半导体器件物理 -

电子科技大学微电子器件习题

第二章 PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（ ）和（ ）。

电子科大最新微电子器件之下

- - 给反偏 PN 结提供少子的方法之一是在其附近制作一个正偏 PN 结，使正偏 PN 结注入的少子来不及复合就被反偏 PN 结收集而形成很大的反向电流。反向电流的大