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王帅帅集成电路制造工艺课程作业报告

集风电路指渣工之殊我作业携告题目:1990年CMOS结构制造工艺流程班级:14电了姓名:常工院王帅帅学号:制备:•裸晶IS, P型•晶圆清洗•沉枳P型外延硅p型晶圆上外延层生长示意图 接触孔I光刻(3

ITO制作工艺

触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO图形制备工艺[二]ITO图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元 氧化物薄膜材料,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高 和电阻

《微细加工工艺方法》课件

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《微细加工CV》课件

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第五章半导体器件工艺学之光刻

- §5-1光刻材料 - 一、概述 制作掩膜版 将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上 刻蚀 离子注入 (掺杂) -

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题解答第4单元

复习题ULSI中对光刻技术的基本要求?答:一般来说,在ULSI中对光刻技术的基本要求包括五方面: = 1 \* GB3 ①高分辨率。随着集成电路集成度的不断提高,加工的线条越来越精细,要求光刻的图形具

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国产化替代工作汇报

国产化替代工作汇报 由于 KrF 光刻胶产能受限以及全球晶圆厂积极扩产等,占据全球光刻胶市场份额超两成的日本供应商信越化学已经向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货 KrF 光刻胶,且已通知更小规模晶圆厂停

机构调研-艾森股份(688720)分析师会议-20231215-20231215

艾森股份分析师会议调研日期:2023年12月15日调研行业:参与调研的机构:银华基金、中欧基金、招商基金、长信基金、长江证券等///调研基本情况调研对象:艾森股份所属行业:接待时间:2023-12-1

track工艺介绍

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