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理学半导体物理学第一章
- - - 半导体物理发展进程 - - 半导体物理的发展序幕 晶态半导体物理
半导体物理学(刘恩科)第七版完整课后题答案)
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度; 导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到
第一章半导体物理学绪论
- * - 半导体物理Semiconductor Physics主讲人:朱成军综合楼六楼 系主任办公室 49914631463 ndcjzhu@126.co
刘诺半导体物理学第一章
- UESTC——Nuo Liu - *重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 - * 重 点 之 二: Ge、Si和GaAs的能带结构
半导体物理学期末复习试题及答案一精编
半导体物理学期末复习试题及答案一与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供(
半导体物理学前言
- 半导体物理学 - 李斌斌 - 教材 - 《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 建议120学时,现有36学时
半导体物理学第四章答案
第四章习题及答案1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下,,由
半导体物理学题库
资料一.填空题. 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的在于其反映了晶体材料的,引入有效质量的意义的作用。 (二阶导数,内部势场). 半导体导带中的电子浓度取决于导带的 (即量子态按能量如何分
半导体物理学第二章
- - 半导体中的电子状态半导体中杂质和缺陷能级半导体中载流子的统计分布半导体的导电性非平衡载流子pn结金属和半导体的接触半导体表面与MIS结构半导体异质结
半导体物理学复习题
半导体物理学复习题一:基本概念1.离子晶体,共价晶体离子晶体:正负离子交替排列在晶格格点上,靠离子键结合成。共价晶体:由共价键结合而成的晶体叫共价晶体。补充:晶体的分类(按原子结合力的性质分)离子晶体
半导体物理学第6章ppt课件
- 第六章 p-n结 - §1 p-n结及其能带图 §2 p-n结的电流电压特性 §3 p-n结电容 §4 p-n结击穿 §5 p-n结隧道
半导体物理学第三章习题和答案
第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解:2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。3. 当E-EF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用