集成电路原理第二章

- 第二章 双极型逻辑集成电路 - 本章重点：1、双极集成电路的寄生效应2、TTL、S/LSTTL、AS/ALSTTL、ECL电路的电路结构，工作原理和特点的分析与比较

集成电路原理第二章

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集成电路工艺第二章：氧化

- 氧化工艺 - 硅热氧化 - 微电子3 张兴旺 - 常妓盯裸尖啮郎秦址患蓄跟奈瓣持输缔捌逻坍膨妆森

第二章线性集成电路的基本单元电路图文.ppt46

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集成电路原理课件-MOS集成电路的版图设计

- 第五章 MOS集成电路的版图设计 - 根据用途要求确定系统总体方案 - 工艺设计根据电路特点选择适当的工艺，再按电路中各器件的参数要求，确定满足这些

集成电路原理第一章

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集成电路原理第四章

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集成电路原理第五章

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集成电路原理第六章

- 第六章 MOS模拟集成电路6.1 MOS模拟集成电路基础6.1.1 MOS模拟IC中的元件 1、MOS集成电容器 铝—薄氧化层—n+扩散区电容 多晶硅—氧化层—重掺杂衬底间的

集成电路原理第六章

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第2章集成电路工艺原理

-  - - 二 扩散法优点 - 1.通过对扩散温度、时间等工艺条件的准确调节来控制PN结的结深,并能获得均匀、平坦的结面;