各校半导体物理真题

2006年华南理工大学半导体物理试题一、解释下列概念：（20分） 1、霍尔效应：2、共有化运动  3、杂质补偿  4、肖特基势垒5、  非平衡载流子寿命二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。（10分）三、

半导体物理期末复习大纲ppt课件

- 复习提示 - 书本、作业通读有帮助基本常数、核心公式、重要物理图像要记牢各个概念、基础物理常识要熟悉该理解的要自己推导一遍，理顺思路上课只讲n (p)型Si的内容，最好自己

半导体物理和器件物理基础

- 第二章 半导体物理和器件物理基础 - - - 主要内容半导体材料基本特性pn结 双极晶体管金属-氧化物-半导体场效应

半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率

半导体物理答案

选择与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量(比半导体的大);室温下,半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3,同时掺有浓度为1、1×1015cm-3的磷,则电子浓度约为(1015cm-3

半导体物理习题

- 例一：某一维晶体的电子能带为：E(k)=E0[1-0.1cos(ka)-0.3sin(ka)]，其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：1）能带宽度；2）能带底和能带顶的有效质量。

东南大学微电子考研的资料半导体物理3半导体物基础

- Chapter 5 Nonequilibrium Carriers (非平衡载流子) - 热平衡状态

半导体物理1

- 2.1硅、锗晶体中的杂质能级 - 实际晶体与理想晶体的区别原子并非在格点上固定不动，在平衡位置附近振动并不纯净，杂质的存在缺陷点缺陷（空位，间隙原子）线缺陷（位错）面缺陷（层

半导体物理复习与总结

- 半导体中电子能量状况 - 半导体中电子运动状况 - 半导体中载流子数目及其改变方式 - 核心：半导体中载流子状况

半导体物理学习题解答

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理器件集成电路 清华大学考研真题

2011年清华大学研究生入学考试半导体物理、器件及集成电路试题150分，180分钟（请将答案写在答题纸上）图示比较BJT和MOSFET饱和区，解释其产生物理机制（15分）列举MOSFET由于尺寸缩小引

刘诺-半导体物理-第三章

- 半导体 物理 - 教案：刘诺独立制作: 刘 诺电子科技大学 微电子与固体电子学院 - Semiconductor Physics