MOS管被静电击穿的原因分析

MOS管被静电击穿的原因分析其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅■源 极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又 因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击

极管及MOS管的讲解

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MOS管工艺参数的提取

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mos管门级驱动电阻计算

关于MOSFET驱动电阻的选择等效驱动电路：L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻

mos管购销合同范本

编号:mos管购销合同甲方： 乙方： 签订日期：年 月 日甲方（需方）：乙方（供方）:甲方与乙方下列物品的买卖协商一致，特订立本协议以期共同遵守。一、产品名称、型号、数量、金额：产品的名称、规格型号、

《极管MOS管特性》课件

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最经典mos管电路工作原理及详解没有之一

电路符号电路符号篇电路符号开始之前，一个小测试：请回答：哪个脚是S（源极）？哪个脚是D（漏极）？G（栅极）呢？是P沟道还是N沟道MOS？如果接入电路，D极和S极，哪一个该接输入，哪个接输出？你答对了吗

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关于mos管的导通与截止

关于mos管的导通与截至：NMOS（如IRF540N）：原理图封装引脚由下到上依次为S、G、D，PCB封装引脚从左到右依次为GDS，做开关时由D串联到负极，Vgs为正电压导通（具体参照Vgs关系图标）

功率MOS管损坏模式详解

功率MOS管损坏模式详解 第一种：雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象

N沟道增强型MOS管双向低频开关电路转

N沟道增强型MOS管双向低频开关电路 2013-09-05 15:12 707人阅读 评论(0) 收藏 举报 【电路】 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用