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RB-SiC材料的磨削加工表面层质量研究的中期报告
RB-SiC材料的磨削加工表面层质量研究的中期报告摘要:RB-SiC材料具有优异的高温、抗氧化和抗腐蚀等性能,是一种重要的结构材料。然而,由于其硬度高、脆性大等特性,对其进行高精度的磨削加工是非常具有
SiC晶片研磨加工表面层损伤检测研究的中期报告
SiC晶片研磨加工表面层损伤检测研究的中期报告该研究旨在研究SiC晶片在研磨加工过程中表面层损伤情况,并寻找一种可靠的检测方法。目前已完成了实验的前期准备工作和部分实验数据的收集与分析,以下是中期报告
单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究中期报告
单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究中期报告本研究旨在探究单晶SiC(Silicon Carbide)基片在超精密磨粒加工中的机理以及其对表面质量和加工精度的影响。在此中期报告中,将介绍目前已完成的研
石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究中期报告
石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究中期报告本次中期报告旨在介绍石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究的进展情况,包括研究背景、目的与意义、研究方法、实验结果、存在问题与改进方案等方面的内容。1
高性能陶瓷材料Ti3SiC2研究进展
万方数据第9卷第1期 MS&E 573 1.2.1 收稿日期:2003一06—18 通信地址:湖南省长沙市中南大学粉末冶金研究院 2004年3月 粉末冶金材料科学与工程 P/M 向其军。刘 咏,杜 勇
亿渡数据-2022年中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告-20230203
2022年中国SiC碳化硅器件行业深度研究报告目录CONTENTS第一章 碳化硅器件行业概况 05 碳化硅器件行业定义分类 06 碳化硅器件行业政策 09 碳化硅器件行业发展历程 10 中国碳化硅器件
无机半导体材料碳化硅SiC课件
- 一、概论;二、SiC材料的研究进展;三、SiC的晶体结构、特性;四、SiC的晶体的应用前景;五、SiC薄膜的制备方法: (1)物理气象沉积法;
磁流变抛光技术在SiC晶片加工工艺中的应用研究
磁流变抛光技术在SiC晶片加工工艺中的应用研究摘要:碳化硅作为新兴的一种第三代半导体材料,现已在电力电子行业得到非常广泛的应用。碳化硅应用技术的发展趋势必然会对晶片表面状况有着越来越高的要求,而这将是
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磁流变抛光技术在SiC晶片加工工艺中的应用研究 摘要:碳化硅作为新兴的一种第三代半导体材料,现已在电力电子行业得到非常广泛的应用。碳化硅应用技术的发展趋势必然会对晶片表面状况有着越来越高的要求,而这
飞秒激光加工SiC的烧蚀阈值及材料去除机理
万方数据第46卷第2I期 2010年11月 JOURNAL OF ENGINEERING 摘要:超短脉冲激光微加工技术以其独特的优势,尤其是对硬脆难加工类宽带隙材料的精密处理,而使其成为微结构加工巾
SiC材料[修改版]
第一篇:SiC材料第 1 页 共 6 页 SiC材料的制备与应用 摘要:本文主要介绍了SiC材料的制备方法,通过不同制备的方法获得不同结构的SiC,其中主要有α-SiC、β-SiC和纳米SiC。并介绍
SiC材料n型掺杂的第一性原理研究
A thesis submitted Zhengzhou University for the degree of .The First Principle study n—type doped 4H