mos管门级驱动电阻计算

关于MOSFET驱动电阻的选择等效驱动电路：L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻

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MOS管驱动电阻怎么选择

MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻首先得知道输入电容大小和驱动电压大小,等效为电阻和电容串联电路,求出电容充电电压表达式,得出电阻和电容电压关系图MOS管的开

mos管参数详解及驱动电阻选择

MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道

mos管驱动电流计算

第一种:能够使用以下公式估计：Ig=Qg/Ton其中：Ton=t3-t0≈td(on)+trtd(on)：MOS导通延缓时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时

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第一种:可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton其中：Ton=t3-t0≈td(on)+trtd(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时

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第一种:可以使用如下公式估算：lg=Qg/T on其中：Ton=t3-t0 ~ td(on)+trtd(on) : MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到 10%开始到VDS下降到其幅值 90%勺时间

MOS管功耗计算

MOS管功耗计算计算功率耗散 要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散:PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSW

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