位错对半导体材料性能的影响

位错对半导体材料性能的影响　　理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则

材料科学基础位错理论

- 材料科学基础Ⅱ - 非理想晶体结构与性能之间的关系 - 金属物理篇 - 实际晶体中常存在各种偏离理想结构的区域

材料科学基础位错公开课一等奖市赛课一等奖课件

- 位 错（Dislocations） - - 位错基本知识 - 主要内容概论位错旳应力场位错旳应变能位错受力位错

第4章实际晶体结构中的位错ppt课件

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金属间化合物中位错和孪晶的弱束电子显微术研究的开题报告

金属间化合物中位错和孪晶的弱束电子显微术研究的开题报告一、研究背景金属间化合物（intermetallic compounds, IMCs）是具有特殊物理和化学性质的重要材料之一。其中，由于IMCs的

3位错应力场应变能线张力35资料

- 2.4 位错的应力场 - 位错周围的点阵发生不同程度的畸变。位错中心部分畸变程度最为严重，这部分超出了弹性应变范围。位错中心区以外为弹性畸变区，借助弹性连续介质模型可讨论位错

材料微观结构晶体中的位错与层错

- 每两个相邻的(112)面的间距为a/6[112]，但彼此相对位移一个矢量，此矢量在[11-1]和[1-10]方向的分量分别为a/6[11-1]和a/2[1-10]。下图表示的是以C2表示的(

位错及其在生活中的应用

- First Page - 位错（dislocation）：晶体中的一类典型的线缺陷，沿位错线近旁甚小的区域内发生了严重的原子错排。其基本类型为刃型位错和螺型位错。刃型位错（

材料科学基础：第六章 空位与位错

- 第六章 空位与位错 - 1、点缺陷2、线缺陷 2.1 柏氏矢量 2.2 位错的运动 2.3 位错的应力场 2.4 位错的应变能 2.5 位错的

edge-3刃位错应力场的特点

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中南大学材料科学基础位错课后答案课件

- - 1．解释以下基本概念肖脱基空位、弗兰克耳空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克—瑞德源、派—纳力、单位位错、不全位错、堆

位错与溶质原子之间的交互作用ppt课件

- 位错与溶质原子的交互作用 - 在完整晶体中，溶质原子分布是随机的， 但有其他缺陷（位错）产生应力场时，溶质原子产生的应变能就要发生改变。溶质原子在晶体中会引起点阵畸变，产生的