氮化物宽禁带半导体材料
氮化物宽禁带半导体材料 宽禁带半导体材料与工艺 宽禁带半导体的概念和发展 宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC
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