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氮化物宽禁带半导体材料
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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 宽禁带半导体材料及其器件应用新发展 摘要:近几年以SiC为代表的宽禁带半导体材料以其宽的禁带宽度、高的击穿场强、高饱和漂移速度和高热导率,小介电常数和高的电子
《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质
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《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质2
大纲2.1.1 概述2.1.2 晶体及能带结构2.1.3 氮化物缺陷2.1.4 氮化物极性2.1.5 化学性质2.1.6 光学性质2.1.7 接触特性22.1.4 GaN的极性3GaN中的极性、半极性
宽禁带半导体材料
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氮化物宽禁带半导体量子阱、量子点杂质态的电子特性研究的开题报告
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宽禁带半导体材料
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《宽禁带半导体材料》课件
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宽禁带半导体材料新进展课件
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《宽禁带半导体材料》课件1
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