酞菁铜衍生物有机场效应晶体管的研究的开题报告

酞菁铜衍生物有机场效应晶体管的研究的开题报告题目：酞菁铜衍生物有机场效应晶体管的研究一、研究背景及意义场效应晶体管（field effect transistor, FET）是一种利用外电场调节导电性

酞菁铜衍生物有机场效应晶体管的研究的开题报告 题目：酞菁铜衍生物有机场效应晶体管的研究 一、研究背景及意义 field effect transistor, FET 场效应晶体管（）是一种利用外电场调节 导电性能的器件，其具有极高的灵敏度、低功耗、高集成度等优点，在 FET 现代电子学领域得到广泛应用。在过去的几十年中，在有机半导体材 料领域的发展给半导体物理、化学、工程以及基础科学研究带来了新的 激动人心的前景。 近年来，酞菁铜衍生物作为一种重要的有机半导体材料已成为科学 家们研究的热点，其在光电转换、场致发光、电学特性等方面具有良好 的应用前景，同时其相对于其他材料具有较高的质子传导、易于加工和 FET 改性等优点，因此在领域也备受关注。 FET 目前，关于酞菁铜衍生物有机的研究还比较有限，因此有必要 FET 通过对其电学性能等方面的深入研究，来探索其在应用中的潜力， 并拓展有机半导体领域的新面貌。 二、研究内容和方法 本研究将通过制备酞菁铜衍生物材料、制作有机场效应晶体管、测 FET 试晶体管的电学性能等步骤综合研究其在应用中的特性。 具体包括以下研究内容： 1. 制备酞菁铜衍生物有机材料及其表征 首先采用多种化学方法制备酞菁铜衍生物有机材料，并通过 UV-visPLXRD 、、等手段对其进行结构表征及光学性质等方面的分析。 2.FET 制作有机 FET 采用常规微绘制技术制作有机，将酞菁铜衍生物材料作为有机