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【完整版】2020-2025年中国IGBT行业企业发展方向及匹配能力建设研究报告
(二零一二年十二月)2020-2025 年中国 IGBT 行业企业发展方向及匹配能力建设研究报告【完整版】决策精品报告 洞悉行业变化专业˙权威˙平价˙优质2020-2025 年中国 IGBT 行业企业
变频器IGBT模块的工作原理及特性
变频器IGBT模块的工作原理及特性 变频器IGBT模块的工作原理 变频器IGBT 模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,
IGBT基本参数详解解析
IGBT基本参数详解解析第一部分 IGBT模块静态参数 1,,集射极阻断电压 在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25?下的数据,随着结温的降低,会逐渐降低。由于
IGBT基本参数详解讲解
第一局部IGBT模块静态参数1^'":集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25C下的数据,随着结温的降低J'"会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感,
IGBT管、IGBT模块 技术参数符号术语说明
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基于IGBT模块技术的港口节电应用
基于IGBT模块技术的港口节电应用 IGBT模块技术具有功率大、电流容量大的特点,其是一种电流控制型器件,因此,本文首先对IGBT模块技术的工作原理进行分析,其次,探讨基于IGBT模块技术的港口节
《IGBT 双脉冲测试》.pdf
IGBT Double Pulse TestIGBT Double Pulse Test Basic principle of double pulse test Safe operation o
MOS管和IGBT模块的测试方法
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管(MOSFET)的测试方法: 场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G(栅极)和S(源极)之间,G与D(漏极)之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电
IGBT特性参数定义
术语符号定义与说明集电极-发射极间电压Collector-Emitter voltageVCES在门级-发射极之间处于短路状态时,集电极-发射极间能够时间的最大电压门级-发射极间电压Gate-Emit
IGBT驱动电路设计方法
驱动条件1.1驱动电压对于目前的IGBT和MOSFET而言,此电压一般被限定为20 V。推荐使用的栅极驱动电压推荐使用值须达到MOSFET :VGS=+10 VIGBT:V GG+=+15 V, V
IGBT直流升压斩波电
- 设计条件: 1、输入直流电压:Ud=50V 2、输出功率:300W 3、开关频率5KHz 4、占空比10%~50%
IGBT可靠性测试方法
IGBT可靠性测试方法IGBT的寿命通常长达数十年,因此倘若不采取特殊的测试手段而使器件在正常情况下工作直至失效是不现实的,寻求一种有效地测试手段就显得非常必要。通常的测试手段有加速寿命测试(HALT