（最新）半导体材料层错、位错的显示 (1)

实验 半导体材料层错、位错的显示通常制造电子器件要求所采用的半导体材料是单晶体，就是说要求材料的原子排列严格按照一定的规律。但是由于种种原因，实际的单晶中往往存在某些缺陷，位错就是其中的一种。在硅单晶

位错密度测量的wh法

- 位错密度的测量 - XRD和TEM均可以用来测定金属材料中的位错密度，两者有所区别。（1）首先，TEM方法给出的是微区的位错密度，而XRD给出的是材料宏观区域的位错密度。用T

位错作业

1.简述刃型位错和螺型位错,并全面比较两者有何不同? 答:位错是晶体原子排列的一种特殊组态,从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型,即刃型位错和螺型位错。已滑移区与未滑移区在滑移面上的交接线,

位错的应力场

第四节 位错的应力场一、位错应力场1.位错的连续介质模型（1）应力分量σxx τ xy τ xzτ yx σ yy ττ zx τ zy σyzzz第1个下标表示应力作用面的外法线方向，第2个下标表示

晶体缺陷-位错运动

- 2.柏氏矢量的特性：（1）b的物理意义： 其方向表示位错的性质和取向，即位错运动导致晶体滑移的方向 模∣b∣表示畸变的程度：位错强度 - （2）b的守恒性：

螺型位错特征

螺型位错的特征螺型位错无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的。2根据位错线附近呈螺旋形排列的原子旋转方向不同,可分为右旋和左旋螺型位错。螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线，而且位错线的移动方向与晶

固体物理--位错 21.2 位错

- 位错 - 位错是一种线缺陷 - 滑移和孪生借助于位错运动而传播 - 位错类型

2020年位错理论5-位错的形成与增殖

- - - 目录 - - 位错的形成位错的增殖Frank-Read源增殖机制平面L源增殖机制双交

位错的基本类型

- 位错的基本类型及特征 - 工程材料理论切变强度与实际强度相差100～1000倍 - 晶体中位错的基本类型 - 1.刃型位错

位错强化机制

- 4.1 金属单晶体塑性变形的一般特点 - 1.FCC晶体中位错的运动及塑性变形特点滑移系数目多Wp与P-N力低低温塑性好无冷脆现象层错能低（除Al，Ni外），加工硬化明显

点缺陷及位错

- 第三章 晶体缺陷 - 3.1 点缺陷 点缺陷的形成 - 一是迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上，而使晶体内部留下空位，称为肖脱基（Schottky）

位错习题解答

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