半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率

半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率

半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2、试计算本征Si在室温时的电导率,设电子与空穴迁移率分别为1350cm2/Vs与500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后,设杂质全部电离,试计算其电导率。掺杂后的电导率

半导体物理分章答案第四章

- 第四章 半导体的导电性Electrical conduction of Semiconductors - - 重点： - 1、迁

半导体物理分章答案第四章

- 第四章 半导体的导电性Electrical conduction of Semiconductors - - 重点： - 1、迁

半导体物理习题答案资料

第一章半导体中的电子状态 例1. 证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：

半导体物理第十章习题答案

第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象补充题：对厚度为d、折射率为n的均匀半导体薄片，考虑界面对入射光的多次反射，试推导其总透射率T的表达式，并由此解出用透射率测试结果计算材料对光的吸收系数a的

半导体物理第五章习题答案

第五篇 题解-非平衡载流子刘诺 编5-1、何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡

半导体物理第五章习题答案

第5章 非平衡载流子1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3，已知空穴寿命为100s，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此2. 用强光照

半导体物理第五章习题答案

第五篇 题解-非平衡载流子刘诺 编5-1、何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡

半导体物理习题及答案

复习思考题及自测题原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参及共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核及电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形

半导体物理 第四章

- 霍尔效应 如图4．3所示，若沿x方向通以电流密度jx，沿垂直于电流的方向z方向施加磁场Bz，那么在垂直于电流和磁场的y方向上将出现横向电场．这个效应称为霍尔效应．