腾讯文库搜索-半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第4章习题解
半导体物理学课后习题第五章第六章答案
半导体物理学课后习题第五章第六章答案 第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 已知:?p?10求:U?
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半导体物理学期末复习试题及答案一精编
半导体物理学期末复习试题及答案一与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供(
半导体物理学第三章习题和答案
第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解:2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。3. 当E-EF为1.5k0T,4k0T, 10k0T时,分别用
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- 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版),刘恩科等编著,电子工业出版社参考书:《半导体物理与器件》(第三版),Donald A.Neamen著,电子工业出版社
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半导体物理学课后习题第五章第六章答案
第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n型样品,假定光被均匀地吸收,产生过剩载流子,产生率为,空穴寿命为
东大_半导体物理学第七版电子工业出版社刘恩科等编著PPT
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半导体物理学练习题(刘恩科)
第一章半导体中的电子状态 例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。解:K状态电子的速度为:
第一章半导体物理学绪论
- * - 半导体物理Semiconductor Physics主讲人:朱成军综合楼六楼 系主任办公室 49914631463 ndcjzhu@126.co
半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap2市公开课获奖课件省名师示范课获奖课件
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