半导体物理学(乙)B卷真题2023年

2023 年硕士学位争论生入学统一考试试题半导体物理学(乙) B 卷一、解释以下名词及概念1．半导体中深能级杂质 2．禁带宽度 3．热载流子4．空穴 5．半导体的迁移率 6．准费米能级 7．欧姆接触8

半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全)

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学ch33扩散与离子注入

- 4.6 扩散与离子注入 - 杂质掺杂 - 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触磷(P)

半导体物理学刘恩科第七版课后答案分解

第一章 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃

半导体物理学课后习题第五章第六章答案

第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为

（最新）半导体物理学(刘恩科)第七版课后答案

第一章 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃

半导体物理学(第七版)电子工业出版社刘恩科等编着

- 半导体物理学 - <#> - 半导体物理学 - 教材:《半导体物理学》(第六版)，刘恩科等编著，电子工业出版社参考书：

半导体物理学第七版刘恩科编著第七章习题

- 第七章 金属和半导体的接触 - - 1 什么是功函数？哪些因素影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ - 功函数是指

半导体物理学(刘恩科第七版)课后答案（完整版）

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半导体物理学公开课百校联赛一等奖课件省赛课获奖课件

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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题答案

第一章习题设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：Ec=h 2 k 2h 2 (k  k )21 , E) h 2 k 2

半导体物理学公开课获奖课件百校联赛一等奖课件

- 半导体物理学 - 理学院物理科学与技术系 - - 物质存在旳形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。一般把导电性和