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半导体物理学(刘恩科)第七版完整课后题答案)

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度; 导带底电子有效质量;价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学第7版第三章习题和答案资料

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第三章习题和答案

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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第三章习题和答案

第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用

半导体物理学课后习题第五章第六章答案

半导体物理学课后习题第五章第六章答案 第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 已知：?p?10求：U?

半导体物理学刘恩科第七版习题答案比较完全资料

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电

半导体物理学期末复习试题及答案一精编

半导体物理学期末复习试题及答案一与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。A. 比绝缘体的大 B. 比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供（

半导体物理学第四章答案

第四章习题及答案1. 300K时，Ge的本征电阻率为47cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。解：在本征情况下，,由

半导体物理学课后习题第五章第六章答案

第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为

半导体物理学 习题答案