半导体物理第五章习题答案

第五篇 题解-非平衡载流子刘诺 编5-1、何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡

半导体物理第五章习题答案

第5章 非平衡载流子1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3，已知空穴寿命为100s，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此2. 用强光照

半导体物理第五章习题答案

第五篇 题解-非平衡载流子刘诺 编5-1、何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡

半导体物理第五章习题答案

第5章 非平衡载流子1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3，已知空穴寿命为100s，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此2. 用强光照

半导体物理第五章答案

半导体物理导论课后习题答案第5章第5章考虑光源的波长 ？与半导体带隙的大小关系1.如图所示的半导体同时处在均匀光照和外加电场作用下。(1)在图中分别标出所产生的各种电流及其方向。(2)试写出半导体中产

半导体物理第五章教材

- * - 第五章 非平衡载流子 - 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平

半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率

半导体物理习题答案资料

第一章半导体中的电子状态 例1. 证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：

半导体物理第十章习题答案

第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象补充题：对厚度为d、折射率为n的均匀半导体薄片，考虑界面对入射光的多次反射，试推导其总透射率T的表达式，并由此解出用透射率测试结果计算材料对光的吸收系数a的

半导体物理习题答案第四章

第4章 半导体的导电性2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/Vs和500 cm2/Vs。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。掺杂后的电导率

半导体物理第五章课件

- 思考题 - 1、区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？2、掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别

半导体物理第五章

- 第5章 载流子输运现象本章学习要点：1. 掌握载流子漂移运动的机理及其电流密度； 掌握迁移率、电导率、电阻率的概念及影响因素； 2. 掌握载流子扩散运动的机理及