宽禁带半导体ZnO材料的调研课件

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宽禁带半导体ZnO材料的调研开题报告

山东建筑大学毕业论文开题报告表班级： 姓名：论文题目 宽禁带半导体ZnO的调研一、选题背景和意义ZnO是一种新型的II・VI族宽禁带半导体材料，具有优异的晶格、光电、压 屯和介电特性，和III・V族氮

宽禁带半导体研究进展，综述正文

北京工业大学研究生课程考试答题纸考试课程：半导体物理课程类别：学位课选修课研究牛学号：S201309046研究牛姓名：马栋学牛类别：博士 硕士工程硕士 进修牛考试吋间:2013年11月15题号分数任课

宽禁带半导体器件对比

宽禁带半导体功率器件刘海涛　陈启秀　　摘要　阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。　　关键词　宽禁带半导体

《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质2

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《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质

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紫外光敏宽禁带半导体材料的设计与制备的开题报告

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宽禁带半导体行业报告

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北大宽禁带半导体报告

宽禁带半导体张国义北京大学 物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心参考书• Properties of Group III Nitrides, Edited by Ja

ZnS宽禁带半导体毕业设计

宽禁带半导体ZnS物性的第一性原理研究摘要硫化锌(ZnS)是一种新型的II-VI族宽禁带电子过剩本征半导体材料，其禁带宽度为3.67eV，具有良好的光致发光性能和电致发光性能。在常温下禁带宽度是3.7

宽禁带功率半导体器件损耗研究的开题报告

宽禁带功率半导体器件损耗研究的开题报告一、研究背景宽禁带功率半导体器件是目前电力电子领域广泛应用的器件之一。其具有开关速度快、导通电阻低、耐压能力高等优点，被广泛应用于直流电源、交流变频器、风力发电等

南大宽禁带半导体实验室

禁带半导体紫外探测器紫外探测技术在国防预警与跟踪、电力工业、环境监测及生命科学领域具有重要的应用，其核心器件是高性能的紫外光电探测器。     基于半导体材料的固态紫外探测器件具有体重小、功耗低、量子