微细加工与MEMS技术张庆中13CV

- 第 13 章 化学汽相淀积 - 在蒸发和溅射这些物理淀积方法中，粒子几乎直线运动，存在台阶覆盖问题。随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高，使台阶覆盖问题更

微细加工与MEMS技术-张庆中-13-CV

- 第 13 章 化学汽相淀积 - 在蒸发和溅射这些物理淀积方法中，粒子几乎直线运动，存在台阶覆盖问题。随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高，使台阶覆盖问题更

微细加工与MEMS技术张庆中14外延

- 在 单晶衬底上淀积单晶薄膜 的工艺称为 外延。集成电路中的各种器件通常就是做在外延层上的。 - 第 14 章 外延生长 -

微细加工与MEMS技术张庆中1引论

- 微细加工与MEMS技术 - 电子科技大学微电子与固体电子学院 - 张庆中 - -

微细加工与MEMS技术-张庆中-19-微机电系统

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微细加工与MEMS技术-张庆中-1-引论

- 微细加工与MEMS技术 - 电子科技大学微电子与固体电子学院 - 张庆中 - -

微细加工与MEMS技术张庆中12物理淀积

- 在集成电路制造工艺中，常常需要在硅片的表面淀积各种固体薄膜。薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级，薄膜材料可以是金属、半导体或绝缘体。 -

微细加工与MEMS技术10真空

- * - 10.1 气体动力学理论 - 气体分子热运动速度的大小的平均值 - 气体分子热运动速

微细加工与MEMS技术引论

- 微细加工与MEMS技术 - 教材：《微电子制造科学原理与工程技术》，Stephen A. Campbell，电子工业出版社 - 主要参考书：

微细加工与MEMS技术引论

- 微细加工与MEMS技术 - 电子科技大学微电子与固体电子学院 - 教材：《微电子制造科学原理与工程技术》，Stephen A. Campbe

微细加工与MEMS技术热氧化

- 热氧化的目的 在 Si 衬底的表面生长一层 SiO2 薄膜。 - 第 4 章 热氧化 - SiO2 薄膜的用途

微细加工与MEMS技术引论课件

- 教材：《微电子制造科学原理与工程技术》，Stephen A. Campbell，电子工业出版社 - 主要参考书：《微细加工技术》，蒋欣荣，电子工业出版社 VLSI Techn