腾讯文库搜索-碳化硅电子器件发展分析
碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题
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碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题
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碳化硅MOSFET器件及其制造方法
(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号 CN109148566A(43)申请公布日2019.01.04(21)申请号 CN201810991188.9(22 )
国内外碳化硅电力电子器件技术进展
- * - 国内外碳化硅电力电子进展 - IC-CHINA 2010CETC第五十五研究所 李宇柱2010年10月23日
碳化硅电力电子发展现状与趋势
目前电网技术正向智能化发展,碳化硅电力电子器件技术的进步及产业化,将在高压电力系统开辟全新应用,对电力系统变革产生深远影响。 碳化硅电力电子器件优异的高效、高压、高温和高频特性,使其在家用电器、