集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题解答第4单元

复习题ULSI中对光刻技术的基本要求？答：一般来说，在ULSI中对光刻技术的基本要求包括五方面： = 1 \* GB3 ①高分辨率。随着集成电路集成度的不断提高，加工的线条越来越精细，要求光刻的图形具

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题解答第5单元

复习题ULSI对多层互连系统的要求？答：可从金属导电层和绝缘介质层的材料特性，工艺特性，以及互连延迟时间等多个方面来分析ULSI对多层互连系统的要求：1、缩短互连线延迟时间，通常用电阻电容（RC）常数

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题解答第5单元

复习题ULSI对多层互连系统的要求？答：可从金属导电层和绝缘介质层的材料特性，工艺特性，以及互连延迟时间等多个方面来分析ULSI对多层互连系统的要求：1、缩短互连线延迟时间，通常用电阻电容（RC）常数

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案第2单元

第二单元习题解答SiO2膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么？对SiO2膜性能有哪些影响？二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案第2单元

第二单元习题解答SiO2膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么？对SiO2膜性能有哪些影响？二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角

集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2单元)

第二单元习题解答1. SiO2膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么？对SiO2膜性能有哪些影响？二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案

第一单元习题以直拉法拉制掺硼硅锭，切割后获硅片，在晶锭顶端切下的硅片，硼浓度为3×1015atoms/cm3。当熔料的90％已拉出，剩下10％开始生长时，所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片，硼浓度是多

集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案第1单元

第一单元 习题1. 以 直 拉 法 拉 制 掺 硼 硅 锭 ， 切 割 后 获 硅 片 ， 在 晶 锭 顶 端 切 下 的 硅 片 ， 硼 浓 度 为3×1015atoms/cm 3。当熔料的 90％

集成电路制造技术-原理与工艺上

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集成电路原理制造工艺及原理技术--期末论文

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