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集成电路设计—全加器

《集成电路设计实践》报告 题目: 全加器设计 院系: 自动化与信息工程 专业班级

数字集成电路设计-笔记归纳

第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应:1、速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS管,PMOS速度饱和效应不显著。主要原因是太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度(),即

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集成电路设计实验报告 时间:2011年12月实验一 原理图设计实验目的学会使用Unix操作系统学会使用CAD

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数字集成电路设计与实现

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