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集成电路设计—全加器
《集成电路设计实践》报告 题目: 全加器设计 院系: 自动化与信息工程 专业班级
数字集成电路设计-笔记归纳
第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应:1、速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS管,PMOS速度饱和效应不显著。主要原因是太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度(),即
集成电路设计实验报告
集成电路设计实验报告 时间:2011年12月实验一 原理图设计实验目的学会使用Unix操作系统学会使用CAD
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集成电路设计答案王志功版
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集成电路设计答案王志功版
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集成电路设计3-版图设计
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集成电路设计习题答案-章
CH1按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律?晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律什么是
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集成电路设计本科教学改革研究论文
集成电路设计本科教学改革研究论文 合理设置课程体系和课程内容,是提高人才培养水平的关键。xx年,黑龙江大学集成电路设计与集成系统专业制定了该专业的课程体系,经过这几年教学工作的开展与施行,发现仍存
数字集成电路设计与实现
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