宽禁带半导体研究进展，综述正文

北京工业大学研究生课程考试答题纸考试课程：半导体物理课程类别：学位课选修课研究牛学号：S201309046研究牛姓名：马栋学牛类别：博士 硕士工程硕士 进修牛考试吋间:2013年11月15题号分数任课

宽禁带功率MOSFET半导体器件的研究进展

宽禁带功率MOSFET半导体器件的研究进展 实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场，也就是选择宽禁带的半导体材料。根据更符合实际应用，以及综合考虑功率器件的导通损耗、开关损耗和芯片面积等因

宽禁带半导体材料

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宽禁带半导体材料新进展课件

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宽禁带半导体小论文

宽禁带半导体材料的研究进展和应用前景引言：使用硅器件的传统集成电路大都只能工作在250弋以下， 不能满足高温、高功率以及高频等要求。目前人们已经将注意力转移 到宽禁带半导体材料上。本文着重介绍了 Si

宽禁带半导体器件对比

宽禁带半导体功率器件刘海涛　陈启秀　　摘要　阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。　　关键词　宽禁带半导体

宽禁带功率半导体器件损耗研究的开题报告

宽禁带功率半导体器件损耗研究的开题报告一、研究背景宽禁带功率半导体器件是目前电力电子领域广泛应用的器件之一。其具有开关速度快、导通电阻低、耐压能力高等优点，被广泛应用于直流电源、交流变频器、风力发电等

超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展论文

万方数据DOI：10．13290／j．enki．bdtjs．2021．01．001 Zhao Zhengpin91’2 junction Trends and 0utlook 超宽禁带半导体金刚石功率

《宽禁带半导体材料》课件

- 宽禁带半导体材料 - - 制作人：PPT创作创作时间：2024年X月 - 目录 - 第1章 宽

氮化物宽禁带半导体材料

氮化物宽禁带半导体材料　　宽禁带半导体材料与工艺　　宽禁带半导体的概念和发展　　宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC

宽禁带半导体材料

- 10 宽禁带半导体材料 Eg>2.3eVSiC, 金刚石,II族氧化物, II族硫化物,II族硒化物,第三族氮化物.SiC, GaN,第三族氮化物.禁带,热导,介电,电子漂移速度---适合制作高频

宽禁带半导体材料新进展PPT课件

- 主要内容 - 几种主要半导体材料的物理属性宽禁带半导体材料新进展GaN-AlN-(4H)SiC新型光触发功率半导体器件未来展望 - 第1页/共13页