微电子器件基础第六章习题解答

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微电子器件的冷却

微电子器件的冷却 在过去的三十年中，随着电子计算机的容量和速度的快速发展;导弹、卫星和军用雷达对高性能功能模块以及高可靠大功率器件的迫切要求，集成电路的总功率和速度、大功率分立器件取得了飞速的发展。例

微电子器件与IC设计基础第2版刘刚陈涛课后答案

课后习题答案1.1为什么经典物理无法准确描述电子的状态在量子力学中又是用什么方法来描述的解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。 然而，电子和光子是微观粒子， 具有波粒二象性。 因此，经典物理无法准确描

复旦大学微电子器件第一章电子态

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微电子器件(测验)

- 某硅突变 PN 结的 NA = 1.5×1014 cm-3，ND = 1.5×1018 cm-3，试求室温下： 1、平衡时的 pp0 、nn0 、pn0 和 np0

微电子器件期末试题

一、填空题1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为和,本征载流子浓度为，则PN结内建电势的表达式。2.对于单边突变结结，耗尽区主要分布在N区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越大，内建电场的最大值越小；随着

微电子器件可靠性习题

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微电子器件设计

微电子器件设计作业一MOSFET考虑一个理想N沟和P沟MOSFET互补对，要将其设计为偏置相同 时的I—V曲线也相同。器件有相同的氧化层厚度t°x=25nm,相同的 沟道长度L=2|Lim,假设二氧化

《微电子器件工艺学》课件

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微电子器件课程复习题

1、假设*突变PN结的P型区的掺杂浓度为，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为〔〕和〔〕。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带〔负〕电荷，N区一侧带〔正〕电荷。建电场的方向是从