《微电子器件与》课件

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微电子器件(测验)

- 某硅突变 PN 结的 NA = 1.5×1014 cm-3，ND = 1.5×1018 cm-3，试求室温下： 1、平衡时的 pp0 、nn0 、pn0 和 np0

微电子器件期末试题

一、填空题1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为和,本征载流子浓度为，则PN结内建电势的表达式。2.对于单边突变结结，耗尽区主要分布在N区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越大，内建电场的最大值越小；随着

微电子器件实验教学改革论文

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微电子器件设计

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微电子器件课程复习题

1、假设*突变PN结的P型区的掺杂浓度为，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为〔〕和〔〕。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带〔负〕电荷，N区一侧带〔正〕电荷。建电场的方向是从

微电子器件(3-8)

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关于高校微电子器件教学研究论文

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微电子器件39

- 3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 - 推导步骤 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ”