氮化镓缓冲层的物理性质

第 20 卷第 8 期1999 年 8 月半 导 体 学 报CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR SV o l. 20, N o. 8A ug. , 1999氮

氮化镓半导体材料发展现状

氮化镓半导体材料发展现状氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用GaN

纳米电子器件中的氮化镓材料

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氮化镓衬底及其生产技术

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关于氮化镓的晶体学

氮化镓晶体1. 晶体结构[1-3]空间结构：空间群：P63mc平衡晶格常数：a = 3.186 ?, c = 5.186 ?基矢：Ga:  N:基元坐标：Ga: 0 0 0,1/3 2/3 1/3N:

氮化镓的合成制备及展望

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氮化镓衬底行业报告

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简单介绍氮化镓

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