离子注入培训资料

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精选半导体制造工艺之离子注入原理课件

- 实际工艺中二步扩散 - 第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散）

离子注入和快速退火工艺设计

离子注入和快速退火工艺离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um，离子剂量变动围从用于阈值电压调整的1012/cm3

离子注入表面改性技术

- 第四节 离子注入表面改性技术 - 4.1 离子注入的特点4.2 离子注入的原理 4.3 离子注入在高分子材料表面改性的应用 - 2016/3/28

离子注入对金属材料改性

离子注入材料表面改性的研究方法【摘要】本文论述了离子注入材料表面改性的特点和发展应用，阐述了离子注入材料表面改性的机理。大量研究表明，离子注入通过改变材料表面和界面的物理化学特性及微观结构，能够显著提

离子注入对金属材料改性

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半导体制造技术--离子注入工艺课件

-  - 1 - 半导体制造技术--离子注入工艺 - 目标 - 至少列出三种最常使用的掺杂物辨认

第4章IC工艺之离子注入ppt课件

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离子注入均匀性的工艺控

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扩散与离子注入资料

- 3.4 扩散与离子注入 - 扩散:利用原子在高温下（900-1200℃） 的扩散运动，杂质原子从浓度很高 的杂质源向低浓度区扩散并形成一

集成电路离子注入机发展现状与趋势

产业发展中国集成电路China lntegrated CircultCIC集成电路离子注入机发展现状与趋势李士会， 张喻召张丛， 曾安生，北京烁科中科信电子装备有限公司摘要： 离子注入机是集成电路制造

半导体制造技术离子注入工艺

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