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第4章 实际晶结构中的位错

- 第4章 实际晶体结构中的位错 - 4.1 实际晶体中位错的分类4.2 实际晶体中位错的柏氏矢量4.3 位错反应4.4 面心立方晶体中的位错4.5 体心立方晶体中的位错4.6

位错的弹性理论ppt课件

- 第二章 位错的弹性理论 - 位错具有应力场弹性应力场可由弹性理论计算包含弹性应力场、能量、线张力、相互作用力等内容 - *

位错对材料性能的影响

位错对材料性能的影响   理想完整晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往

18位错与溶质的相互作用

- * - 溶质原子会使周围晶体产生弹性畸变,而产生应力场,它与位错的应力场相互作用从而升高或降低晶体中的弹性应变能。分科垂耳型(cottrell)和斯诺克型(snoek)两

《点缺陷及位错》PPT课件

- 第三章 晶体缺陷 - 第一章讲的晶体学基础,都是假设晶体完全处于理想状态,即晶体严格地按周期性的有规则的排列。 然而,对于现实中使用的材料来说,其原

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考研专业课:材料科学基础7-位错理论基础

- 第七章 位错理论基础 - 位错的运动位错的应力场3. 位错与缺陷的交互作用位错的起源与增殖5. 实际晶体中的位错 - 内容提要

《位错的运动与交割》课件

- 《位错的运动与交割》ppt课件 - 艾蠓噱创抹睡毓戡析狻 - 目录 - CONTENTS - 位错的

贯穿位错对铝镓氮-氮化镓光学及电子器件性能的影响

贯穿位错对铝镓氮 - 氮化镓光学及电子器件性能的影响(贯穿)位错及其表征氮化镓与其它第三主族氮化物 (如氮化铝和氮化铟) 的多元化合物,因理想的禁带带宽( 3.4eV 及宽达 0.7-6.2eV 的

原子的不规则排列-位错

- - §1.3.2 线缺陷 - 玉米在生长过程中,由于各种因素使玉米粒在某处的一列错排(多了半列玉米粒),这列玉米粒及其周围区域(若干个颗粒间距)排列

《位错的运动与交割》PPT课件

- 第3章 位错的运动与交割 - 3.1 位错的运动3.2 运动位错的交割3.3 位错的增殖 - -

《材料科学基础》实验7位错蚀坑的观察与分析

实验7 位错蚀坑的观察与分析实验目的了解位错观察的几种常用方法,借助光学显微镜观察晶体表面的位错蚀坑。初步掌握用浸蚀法观察位错的实验技术。学会计算位错密度。原理概述 位错是晶体中的线缺陷,在位错线