宽禁带半导体器件对比

宽禁带半导体功率器件刘海涛　陈启秀　　摘要　阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。　　关键词　宽禁带半导体

宽禁带功率半导体器件损耗研究的开题报告

宽禁带功率半导体器件损耗研究的开题报告一、研究背景宽禁带功率半导体器件是目前电力电子领域广泛应用的器件之一。其具有开关速度快、导通电阻低、耐压能力高等优点，被广泛应用于直流电源、交流变频器、风力发电等

宽禁带半导体电力电子器件

- 中国科学院微电子研究所 - 宽禁带半导体电力电子器件研究 - - - 主要内容

宽禁带半导体电力电子器件

- 中国科学院微电子研究所 - 宽禁带半导体电力电子器件研究 - - - 主要内容

宽禁带半导体电力电子器件ppt课件

- 主要内容 - 一、 国内外发展现状与趋势二、 研究内容、拟解决的技术难点和创新点三、 研究目标、技术指标四、 研究方法、技术路线和可行性分析五、 年度进展安排

氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

氮化物宽禁带半导体材料与电子器件　　宽禁带半导体材料及其器件应用新发展　　摘要：近几年以SiC为代表的宽禁带半导体材料以其宽的禁带宽度、高的击穿场强、高饱和漂移速度和高热导率，小介电常数和高的电子

宽禁带半导体材料

- 宽禁带半导体材料 - 引言宽禁带半导体材料的特性宽禁带半导体材料的应用宽禁带半导体材料的研究现状与展望 - 引言

宽禁带半导体小论文

宽禁带半导体材料的研究进展和应用前景引言：使用硅器件的传统集成电路大都只能工作在250弋以下， 不能满足高温、高功率以及高频等要求。目前人们已经将注意力转移 到宽禁带半导体材料上。本文着重介绍了 Si

宽禁带功率MOSFET半导体器件的研究进展

宽禁带功率MOSFET半导体器件的研究进展 实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场，也就是选择宽禁带的半导体材料。根据更符合实际应用，以及综合考虑功率器件的导通损耗、开关损耗和芯片面积等因

宽禁带半导体研究进展，综述正文

北京工业大学研究生课程考试答题纸考试课程：半导体物理课程类别：学位课选修课研究牛学号：S201309046研究牛姓名：马栋学牛类别：博士 硕士工程硕士 进修牛考试吋间:2013年11月15题号分数任课

氮化物宽禁带半导体材料

氮化物宽禁带半导体材料　　宽禁带半导体材料与工艺　　宽禁带半导体的概念和发展　　宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC

《宽禁带半导体材料》课件

- 宽禁带半导体材料 - - 制作人：PPT创作创作时间：2024年X月 - 目录 - 第1章 宽