直拉法单晶硅生长技术的现状

直拉法单晶硅生长技术的现状 摘要 综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI

直拉法单晶硅生长技术的现状

直拉法单晶硅生长技术的现状摘要综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，

第九章单晶硅制备直拉法

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法，目前，98%的电子元件都是用硅材料制作的，其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量，机械强度比Fz硅单晶大，在制

单晶硅制备 直拉法

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的，直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制

直拉法单晶硅的工艺改进

直拉法单晶硅制备的工艺改进 姓名:陈胜皇 班级:新能源材料与器件 学号:1303230004 摘要:单晶硅根据硅生长方向的不同分为区熔单晶硅,外延单晶硅和直拉单晶硅。直拉单晶硅的制备工艺一般包括多晶硅

单晶硅直拉法降氧实验进展报告

降氧实验进展报告汇报人：王思锋一、 实验目的：降低单晶硅晶棒头部氧含量。二、 降氧原理：在CZ 法生长中, 氧不可避免地掺入硅单晶。其途径是氧从石英(SiO2) 坩埚溶解进入硅熔体, 溶解的氧经由熔体

单晶硅制备-直拉法

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法，目前，98%的电子元件都是用硅材料制作的，其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量，机械强度比Fz硅单晶大，在制

第九章 单晶硅制备-直拉法

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法，目前，98%的电子元件都是用硅材料制作的，其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量，机械强度比Fz硅单晶大，在制

第九章-单晶硅制备-直拉法课件

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法，目前，98%的电子元件都是用硅材料制作的，其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量，机械强度比Fz硅单晶大，在制

单晶硅直拉法降氧实验进展报告

降氧试验进展报告汇报人：王思锋一、试验目的：降低单晶硅晶棒头部氧含量。二、降氧原理：在CZ 法生长中, 氧不行避开地掺入硅单晶。其途径是氧从石英(SiO2) 坩埚溶解进入硅熔体, 溶解的氧经由熔体的对

直拉法生产单晶硅项目计划书

新能源产业单晶硅项目可行性报告书2014年01月作成第一章 总 论1.1项目概况 项目名称：直拉法生产单晶硅新建企业名称：八零九零有限公司项目负责人：刘冰 项目建设地点：山东济南1.2

直拉法生产单晶硅项目计划书

新能源产业单晶硅项目可行性报告书2014年01月作成第一章 总 论1.1项目概况 项目名称：直拉法生产单晶硅新建企业名称：八零九零有限公司项目负责人：刘冰 项目建设地点：山东济南1.2