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区熔法制备单晶硅
集 成 电 路 制 造 工 艺------区熔法制备单晶硅班 级: 电 艺 3091 学 号: 38# 姓 名: 赵 剑 指导老师: 张 喜 凤
区熔法超纯单晶硅数值模拟方案
区熔法超纯单晶硅数值模拟方案区熔法超纯单晶硅数值模拟方案 1. 背景介绍 1.1 单晶硅 硅的单晶体,是一种良好的半导体材料。在工业上单晶硅多用于半导体产业,主要用于制造半导体芯片、太阳能电池等。 单
悬浮区熔法生长大直径单晶硅的数值模拟及其热场分析的开题报告
悬浮区熔法生长大直径单晶硅的数值模拟及其热场分析的开题报告编号:一、选题依据和研究意义单晶硅是制造半导体器件、光电器件的最主要原材料,其质量对于器件的性能和可靠性起着决定性的影响。目前,生产单晶硅的主
第九章单晶硅制备直拉法
- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制
单晶硅制备 直拉法
- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的,直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制
单晶硅制备-直拉法
- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制
第九章 单晶硅制备-直拉法
- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制
第九章-单晶硅制备-直拉法课件
- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制
生产单晶硅制备及其应用工艺技术
01805741.1 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 2 01806781.6 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法 3 02111781.0 分离单晶硅埚底料中石英的
单晶硅材料的制备与加工
单晶硅太阳能电池的生产与检测光予小组制作2014/5/25直拉单晶硅的相关知识直拉单晶硅的制备工艺(一)工艺概述(二)各项工艺步骤的特点直拉单晶硅的发展前景一,直拉单晶硅的相关知识 硅单晶是一种半
第9章-单晶硅的制备分析
- 第九章 单晶硅的制备 - 主要内容:结晶学基础区熔法晶体提拉法主要工艺和设备杂质的污染和分布磁拉法连续加料法。 -
单晶硅的主要制备方法比较
单晶硅的主要制备方法比较 硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶(包括中子嬗