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区熔法制备单晶硅

集 成 电 路 制 造 工 艺------区熔法制备单晶硅班    级: 电 艺 3091  学    号:    38#      姓    名:  赵  剑     指导老师:  张 喜 凤   

区熔法超纯单晶硅数值模拟方案

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悬浮区熔法生长大直径单晶硅的数值模拟及其热场分析的开题报告

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第九章单晶硅制备直拉法

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单晶硅制备 直拉法

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单晶硅制备-直拉法

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制

第九章 单晶硅制备-直拉法

- 直拉生长工艺 - 直拉法又称Cz法,目前,98%的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85%是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制

第九章-单晶硅制备-直拉法课件

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生产单晶硅制备及其应用工艺技术

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单晶硅材料的制备与加工

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第9章-单晶硅的制备分析

- 第九章 单晶硅的制备 - 主要内容: 结晶学基础区熔法晶体提拉法主要工艺和设备杂质的污染和分布磁拉法连续加料法。 -

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单晶硅的主要制备方法比较  硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶(包括中子嬗