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IC工艺技术5-离子注入

- 集成电路工艺技术讲座 第五讲 - 离子注入Ion implantation - - - 引言

批处理离子注入机台锥角效应及注入角度对产品的影响

批处理离子注入机台锥角效应及注入角度 对产品的影响朱红波1,周祖源2,何永根2,秦宏志1(1. 中芯国际集成电路制造(北京),北京 100176; 2. 中芯国际集成电路制造(上海),上海 20120

精选半导体制造工艺09离子注入上

- 实际工艺中二步扩散 - 第一步 为恒定表面浓度的扩散(Pre-deposition) (称为预沉积或预扩散)

瓦利安离子注入机工作原理01

第三部分 原理瓦利安半导体设备有限公司VIISta HCS目录章 节 章节编号原理介绍…………

离子注入设备项目可行性研究报告

离子注入设备项目可行性研究报告 目录TOC \h \zHYPERLINK \l "_Toc17961"序言 PAGEREF _Toc17961 \h 3HYPERLINK \l "_Toc5251"

离子注入技术的发展及其在材料方面的应用

离子注入技术的发展及其在材料方面的应用 摘 要离子注入是一项新兴的材料表面改性技术。它可以使材料表面的机械、物理、化学、电学等性能发生变化。有效地提高材料表面的硬度以及耐磨擦、耐磨损、抗腐蚀、抗疲劳

mhvAAA离子注入实验报告

离子注入实验报告材料科学与工程  1 实验目的:(1)了解离子注入原理,掌握注入完成后的退火仪器原理及操作。(2)学会在样品上制作欧姆接触,四探针法测量样品退火前后的薄层电阻;用热电笔法测量退火前后样

GSD200E2离子注入机

目 录第一章 离子注入原理 第二章 离子注入机简介 第三章 GSD 200 E2 离子注入机的组成及工作原理 第一节 GSD 200 E2 离子注入机的技术指标第二节 GSD 200 E2 离子注入机

第七章离子注入原理下晶格损伤

- 集成电路工艺原理 - 仇志军邯郸校区物理楼435室 - <#> - 大纲 - 第一章

半导体物理学ch33扩散与离子注入

- 4.6 扩散与离子注入 - 杂质掺杂 - 掺杂:将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变半导体电学性质,形成PN结、电阻、欧姆接触磷(P)

集成电路工艺基础离子注入演示文稿

- 集成电路工艺基础离子注入演示文稿 - - 第一页,共四十七页。 - (优选)集成电路工艺基础离子注入

2021年度离子注入工艺原理讲义

- 离子注入 - 离子注入过程:入射离子与半导体的原子核和电子不断发生碰撞,从而损失其能量,经过一段曲折路径的运动,最后因动能耗尽而停止在半导体中的某处。 离子注入出现的理由:随