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硅烷法制备多晶硅分析报告

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硅烷流化床法制备颗粒多晶硅

流化床颗粒多晶硅技术介绍Steve Chu, Ph.D.Sunn yside Tech no logies, Inc2010 Henn epin Ave E, Mi nn eapolis, MN 55

硅烷法多晶硅制备技术

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- 硅烷法多晶硅生产工艺的优势 - 耗电低。硅烷的分解温度为800℃，而主流的三氯氢硅法反应温度在1150℃左右,故还原电耗较低。硅烷容易分解，材料利用率高。污染小。与多晶硅制备

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电子级多晶硅项目可行性研究报告

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国家标准电子级多晶硅

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改良西门子法制备多晶硅中的能耗和环境保护问题

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我国电子级多晶硅发展情况分析

I NDUSTRY产业我国电子级多晶硅发展情况分析■文 / 江华（赛迪智库集成电路研究所）电子级多晶硅是制造半导体 单晶硅中氧、碳含量低，载流子硅片最基础和最主要的原材料之 浓度低，电阻率高，主要应用